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Theoretical study of dislocation nucleation from simple surface defects in semiconductors

机译：半导体中简单表面缺陷引起的位错成核的理论研究

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Godet, Julien; Pizzagalli, Laurent; Brochard, Sandrine; Beauchamp, Pierre;
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年度 2004
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1. Theoretical study of dislocation nucleation from simple surface defects in semiconductors [J] . J. Godet, L. Pizzagalli, S. Brochard, Physical review. B, Condensed Matter And Materals Physics . 2004,第5期

机译：半导体中简单表面缺陷的位错形核的理论研究
2. Nucleation of partial dislocations from a free surface: theoretical study [J] . Brochard S., Grilhe J., Junqua N. Philosophical Magazine, A. Physics of condensed matter, defects and mechanical properties . 1998,第4期

机译：自由表面的部分位错成核：理论研究
3. Nucleation of partial dislocations from a surface-step in semiconductors: a first approach of the mobility effect [J] . S. Borchard, J. Rabier, J. Grilhe The European physical journal. Applied physics . 1998,第2期

机译：半导体表面台阶引起的部分位错成核：迁移率效应的第一种方法
4. Combination of Continuum and Atomistic Approaches for the Study of Dislocation Nucleation from Atomic Size Surface Defects [C] . Sandrine Brochard, Pierre Beauchamp, Jean Grilhe Symposium on Advances in Materials Theory and Modeling―Bridging Over Multiple-Length and Time Scales, Apr 16-20, 2001, San Francisco, California . 2001

机译：连续体和原子方法相结合的研究从原子尺寸表面缺陷位错成核
5. Surface analytical studies and theoretical modelling of defect behavior, surface topography and crack nucleation in fatigued materials [D] . Venkataraman, Gourishankar. 1990

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6. III–V compound semiconductors for mass-produced nano-electronics: theoretical studies on mobility degradation by dislocation [O] . Ji-Hyun Hur, Sanghun Jeon -1

机译：用于量产纳米电子的III–V化合物半导体：位错迁移率降低的理论研究
7. Theoretical study of dislocation nucleation from simple surface defects in semiconductors [O] . Godet, Julien, Pizzagalli, Laurent, Brochard, Sandrine, 2007

机译：简单表面缺陷位错成核的理论研究在半导体中

Theoretical study of dislocation nucleation from simple surface defects in semiconductors

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